IR رسیدونکی 3162PT850D-A3

د photodiodes او phototransistors فعالیت تر منځ څه توپیر دی؟

1. Phototransistor د فوتوډیډ او ټرانزیسټر د مدغم جوړښت په توګه ګڼل کیدی شي. د هغې ځانګړتیاوې د فوتوډیډ تولید ځانګړتیاوې او د ټرانزیسټر ځانګړتیاوې دي.
2. فوټوډیوډونه د اضافي بریښنا رسولو پرته د ولتاژ یا اوسني سرچینو (د بیلګې په توګه د فوتوولټیک حجرو) په توګه کارول کیدی شي.
3. فوټوټرانزیسټر باید د بهرنۍ بریښنا رسولو سره چلول شي، ترڅو دا د فوتوډیډ په پرتله خورا لوی جریان تولید کړي، ځکه چې دا د ټرانزیسټر لخوا پراخ شوی.

- د 3 mm IR اندازه د سوري له لارې LED -

* دا قضیه د نورو LED لپاره هم شتون لري، لکه: د 5mm شنه سوري LED، UV LED، 660nm LED، 940nm LED، 5mm نیلي له لارې سوري LED، ژیړ LED، امبر LED ect *

- د سوري IR LED له لارې کار کول -

* په عکس کې رنګونه د کیمرې لخوا اخیستل شوي ، مهرباني وکړئ د معیاري په توګه ریښتیني اخراج رنګ واخلئ.

- د سوري له لارې IR LED پیرامیټر -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			100	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	30		100	V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	6			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.4	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	30		90	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	90		270	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	270		900	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		850		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	400		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

- د طلایی تار پیوستون -

* د دې لپاره چې هر یو د LED اوږد عمر وساتي ، د BestLED فابریکه د داخلي سرکټ اتصال لپاره د لوړ خالص سرو زرو تار کاروي

- د IR LED بسته بندي -

* موږ کولی شو دا LED د هر شمیر کڅوړو سره بسته کړو او ستاسو د اړتیا سره سم د LED پنونو ټیپ یا وخورئ.

- اړوند انفراریډ LED -

- د تولید پروسه

- د سوري سوري IR LED -